大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題，就是關(guān)于igbt制造設備的問(wèn)題，于是小編就整理了2個(gè)相關(guān)介紹igbt制造設備的解答，讓我們一起看看吧。

igbt生產(chǎn)工藝流程？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。其生產(chǎn)工藝流程一般包括以下步驟

并進(jìn)行清洗和拋光處理，以獲得平整的表面。

2. 摻雜通過(guò)摻入適量的雜質(zhì)，如硼磷等，改變硅片的導電性能，形成N型和P型區域。

3. 氧化在硅片表面形成一層氧化層，用于隔離不同區域。

4. 接觸制備在氧化層上開(kāi)孔，并通過(guò)金屬沉積和光刻技術(shù)，形成電極和金屬導線(xiàn)。

晶圓生產(chǎn)、芯片設計、芯片制造、器件封裝

1、晶圓生產(chǎn)

包含硅提煉及提純、單晶硅生長(cháng)、晶圓成型三個(gè)步驟，國際主流是8英寸晶圓，部分晶圓廠(chǎng)12英寸產(chǎn)線(xiàn)逐步投產(chǎn)，晶圓尺寸越大，良品率越高，最終生產(chǎn)的單個(gè)器件成本越低，市場(chǎng)競爭力越大。

2、芯片設計

IGBT制造的前期關(guān)鍵流程，主流的商業(yè)化產(chǎn)品基于Trench-FS設計，不同廠(chǎng)家設計的IGBT芯片特點(diǎn)不同，表現在性能上有一定差異。

3、芯片制造

IGBT芯片制造高度依賴(lài)產(chǎn)線(xiàn)設備和工藝，全球能制造出頂尖光刻機的廠(chǎng)商不足五家；要把先進(jìn)的芯片設計在工藝上實(shí)現有非常大的難度，尤其是薄片工藝和背面工藝，目前這方面國內還有一些差距。

4、器件封裝

器件生產(chǎn)的后道工序，需要完整的封裝產(chǎn)線(xiàn)，IGBT模塊的封裝流程一般是：芯片和DBC焊接綁線(xiàn)→DBC和銅底板焊接→安裝外殼→灌注硅膠→密封→終測。

igbt是什么？

IGBT是一種絕緣柵雙極性晶體管，它結合了普通BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）的優(yōu)點(diǎn)，在高壓、高電流和高開(kāi)關(guān)速度場(chǎng)合下得到廣泛應用。
其主要原理是利用PNP/NPN晶體管和場(chǎng)效應晶體管的控制特性，實(shí)現了模擬控制信號和數字開(kāi)關(guān)信號的轉換，具有低開(kāi)通阻，大功率等特點(diǎn)。
IGBT在電力電子領(lǐng)域中應用廣泛，例如電動(dòng)汽車(chē)、電機驅動(dòng)、變頻器、直流輸電等。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。

IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)；當前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊；隨著(zhù)節能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應用極廣。

到此，以上就是小編對于igbt制造設備的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于igbt制造設備的2點(diǎn)解答對大家有用。