igbt在制造設備,igbt生產(chǎn)設備
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igbt是什么意思?
IGBT是Isolated Gate Bipolar Transistor(隔離柵極雙極晶體管)的縮寫(xiě),是一種晶體管器件,結合了MOSFET的高輸入電阻和IGBT的低飽和電壓的優(yōu)點(diǎn),是高電壓、高電流應用中常用的開(kāi)關(guān)元件,常用于電力轉換器、驅動(dòng)器、逆變器等電氣設備中。
IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種三端半導體開(kāi)關(guān)器件,可用于多種電子設備中的高效快速開(kāi)關(guān)。 IGBT主要用于放大器,用于通過(guò)脈沖寬度調制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。
IGBT全名
IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
中文名
絕緣柵雙極型晶體管
外文名
Insulated Gate Bipolar Transistor
簡(jiǎn)稱(chēng)
IGBT
特點(diǎn)
高耐壓、導通壓降低、開(kāi)關(guān)速度快
IGBT全稱(chēng)叫絕緣柵雙極型晶體管,是一種復合型結構器件,它結合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn),在電壓電流轉換,電能輸出領(lǐng)域用的非常多,特別是在高壓大電流領(lǐng)域,IGBT占主導地位。
IGBT是人類(lèi)控制電能,利用電能的核心半導體器件之一,這種主要應用在電子電力轉換領(lǐng)域的半導體器件,我們統稱(chēng)功率半導體。
最簡(jiǎn)單的應用,比如我們的筆記版電腦上都帶有電源適配器,這里面就是IGBT,起到一個(gè)升降壓,交直流變化的過(guò)程,顯然IGBT是功率半導體中最重要的一員。它的功能就是控制電,是電能轉換與應用的核心芯片。
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應用極廣。
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn);當前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;隨著(zhù)節能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。
igbt是什么?
IGBT是一種絕緣柵雙極性晶體管,它結合了普通BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)的優(yōu)點(diǎn),在高壓、高電流和高開(kāi)關(guān)速度場(chǎng)合下得到廣泛應用。
其主要原理是利用PNP/NPN晶體管和場(chǎng)效應晶體管的控制特性,實(shí)現了模擬控制信號和數字開(kāi)關(guān)信號的轉換,具有低開(kāi)通阻,大功率等特點(diǎn)。
IGBT在電力電子領(lǐng)域中應用廣泛,例如電動(dòng)汽車(chē)、電機驅動(dòng)、變頻器、直流輸電等。
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