本篇文章給大家談?wù)勚圃炀w生長(cháng)爐設備需要的原料，以及晶體生長(cháng)爐工作原理對應的知識點(diǎn)，希望對各位有所幫助，不要忘了收藏本站喔。

本文目錄一覽：

• 1、提拉法和導模法生長(cháng)寶石晶體
• 2、制造單晶硅需要什么樣的原料?
• 3、焰熔法生長(cháng)寶石晶體

提拉法和導模法生長(cháng)寶石晶體

大多數氧化物類(lèi)晶體如紅寶石、藍寶石、人造釔鋁榴石(YAG)、人造釓鎵榴石(GGG)、金綠寶石、尖晶石等，都能用晶體提拉法生長(cháng)。 導模法是晶體提拉法的一個(gè)變種。

在提拉法使用的過(guò)程中，三種技術(shù)的運用更使這種方法錦上添花。即ADC—晶體直徑制動(dòng)控制技術(shù)、LEC—液相封蓋與EFG—單晶爐技術(shù)和導模法技術(shù)，對于導模法(EFG技術(shù))將在下文詳細介紹。

這種方法能夠生長(cháng)無(wú)色藍寶石、紅寶石、釔鋁榴石、釓鎵榴石、變石和尖晶石等重要的寶石晶體。20世紀60年代，提拉法進(jìn)一步發(fā)展為一種更為先進(jìn)的定型晶體生長(cháng)方法——熔體導模法。

提拉法中控制晶體生長(cháng)直徑原理是當一個(gè)結晶固體的溫度高于熔點(diǎn)時(shí)，固體就熔化為熔體，當熔體的溫度低于凝固點(diǎn)時(shí)，熔體就凝固為固體。提拉法中控制晶體生長(cháng)直徑因素是溫度，過(guò)冷度，都會(huì )影響體生長(cháng)的直徑。

提拉法的基本原理：提拉法是將構成晶體的原料放在坩堝中加熱熔化，在熔體表面接籽晶提拉熔體，在受控條件下，使籽晶和熔體在交界面上不斷進(jìn)行原子或分子的重新排列，隨降溫逐漸凝固而生長(cháng)出單晶體。右圖是提拉法示意圖。

制造單晶硅需要什么樣的原料?

1、生產(chǎn)單晶硅的原料是多晶硅廠(chǎng)生產(chǎn)的高純多晶硅，要求純度至少在6N以上，也就是說(shuō)硅含量在99999%。

2、需要制取單晶硅的多晶原料純度必須在999%以上。一般工業(yè)制取提純的高純硅純度只有99%，一般會(huì )通過(guò)局部熔融法制取更高純度的硅。

3、單晶硅主要原料是二氧化硅硅，沙漠中提取沙子的得到的。

4、單晶硅原料主要是多晶硅，當然對于生產(chǎn)不同級別的單晶硅也有不同的要求，對于生產(chǎn)IC級的多晶要求較高，對于生產(chǎn)太陽(yáng)能級的要求較低，一般市面上多以回爐料為主。即便是這樣，原料價(jià)格也是相當昂貴了。

焰熔法生長(cháng)寶石晶體

焰熔法也稱(chēng)火焰法，或稱(chēng)維爾納葉法。顧名思義，它是用火焰把原料熔化成熔體再進(jìn)行晶體生長(cháng)的方法(見(jiàn)圖4-1-1)，是較重要的一種生長(cháng)寶石的方法。

焰熔法生長(cháng)寶石因為溫度不很穩定，使晶體位錯密度較高，為消除熱應力帶來(lái)的晶體缺陷，所以必須進(jìn)行高溫退火處理。

焰熔法的生長(cháng)原理：小錘敲擊料筒震動(dòng)粉料，經(jīng)篩網(wǎng)及料斗而落下，氧氫各自經(jīng)入口在噴口處，混合燃燒，結晶桿上端插有籽晶，通過(guò)結晶桿下降，使落下的粉料熔體能保持同一高溫水平而結晶。

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