大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題，就是關(guān)于制造多晶硅主要設備的問(wèn)題，于是小編就整理了2個(gè)相關(guān)介紹制造多晶硅主要設備的解答，讓我們一起看看吧。

硅料用什么生產(chǎn)？

硅是地球上儲量第二的化學(xué)元素，作為半導體材料，人們對它研究的最多、技術(shù)也最成熟，而且晶硅性能穩定、無(wú)毒，因此成為太陽(yáng)電池研究開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和應用中的主體材料。高純度的硅在石英中提取。石英（硅石）的主要成分是二氧化硅，在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)硅，其化學(xué)反應，生成粗硅：SiO2+2C==Si（粗）+2CO；

硅料生產(chǎn)制備共有五大類(lèi)，分別為冷氫化反應器、還原爐、塔器、換熱器、球罐。

壓力容器可分為反應、換熱、分離、儲存壓力容器。還原爐為改良西門(mén)子法多晶硅核心生產(chǎn)設備，價(jià)值量與數量占比最高。

制備硅片主要包括長(cháng)晶、截斷切方、測試分選四個(gè)環(huán)節，其中，長(cháng)晶與切片為核心環(huán)節。單晶硅的制備由多晶硅料通過(guò)直拉法或者區熔法制成，其中直拉法進(jìn)一步分為多次直拉法、連續直拉法、磁場(chǎng)直拉法，目前直拉法正由RCZ 向CCZ 過(guò)渡

硅料來(lái)源：

1.無(wú)定型硅可以通過(guò)鎂還原二氧化硅的方式制得。實(shí)驗室里可用鎂粉在赤熱下還原粉狀二氧化硅，用稀酸洗去生成的氧化鎂和鎂粉，再用氫氟酸洗去未作用的二氧化硅，即得單質(zhì)硅。這種方法制得的都是不夠純凈的無(wú)定形硅，為棕黑色粉末。

2.晶體硅可以用碳在電爐中還原二氧化硅制得。工業(yè)上生產(chǎn)硅是在電弧爐中還原硅石（SiO2含量大于99%）。使用的還原劑為石油焦和木炭等。使用直流電弧爐時(shí)，能全部用石油焦代替木炭。石油焦的灰分低（0.3%～0.8%），采用質(zhì)量高的硅石（SiO2大于99%），可直接煉出制造硅鋼片用的高質(zhì)量硅。

3.電子工業(yè)中用的高純硅則是用氫氣還原三氯氫硅或四氯化硅而制得。高純的半導體硅可在1200℃的熱硅棒上用氫氣還原高純的三氯氫硅SiHCl3或SiCl4制得。

4.超純的單晶硅可通過(guò)直拉法或區域熔煉法

多晶硅巡檢主要是干嘛的？

多晶硅巡檢是一種用于檢查多晶硅制造過(guò)程中質(zhì)量和生產(chǎn)效率的常規操作。多晶硅是太陽(yáng)能電池的主要原料之一，它通過(guò)電石法或氯化法等工藝生產(chǎn)。多晶硅巡檢的主要目的是確保多晶硅的質(zhì)量符合預期要求，并及時(shí)發(fā)現和解決生產(chǎn)過(guò)程中的問(wèn)題。以下是多晶硅巡檢的一些主要方面：

1. 外觀(guān)檢查：巡檢人員會(huì )檢查多晶硅的外觀(guān)，包括顏色、表面光潔度、形狀等。這有助于判斷多晶硅的純度和結晶度。

2. 尺寸測量：巡檢人員會(huì )使用測量工具，如卡尺或光學(xué)儀器，對多晶硅的尺寸進(jìn)行測量。這有助于確保多晶硅的尺寸符合規定要求。

3. 雜質(zhì)檢測：巡檢人員會(huì )采集多晶硅樣品，并使用化學(xué)分析或光譜分析等方法，檢測其中可能存在的雜質(zhì)元素，如鐵、銅等。高雜質(zhì)含量可能會(huì )影響多晶硅的質(zhì)量和電池性能。

4. 結晶度檢測：結晶度是多晶硅制造過(guò)程中的一個(gè)重要參數，巡檢人員會(huì )使用X射線(xiàn)衍射或其他方法來(lái)測量多晶硅的結晶度，以確保其達到預定標準。

5. 溫度和濕度控制：巡檢人員會(huì )監測多晶硅制造過(guò)程中的溫度和濕度情況，確保生產(chǎn)環(huán)境符合要求，以避免影響多晶硅質(zhì)量。

通過(guò)多晶硅巡檢，制造商可以及時(shí)發(fā)現潛在問(wèn)題，并采取措施進(jìn)行糾正，以確保多晶硅的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。這有助于提高太陽(yáng)能電池的性能和可靠性，推動(dòng)可再生能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

到此，以上就是小編對于制造多晶硅主要設備的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于制造多晶硅主要設備的2點(diǎn)解答對大家有用。