大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題，就是關(guān)于mbe設備制造的問(wèn)題，于是小編就整理了4個(gè)相關(guān)介紹mbe設備制造的解答，讓我們一起看看吧。

固態(tài)微波芯片的外延設備有哪些？

固態(tài)微波芯片的外延設備主要包括金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設備、分子束外延（MBE）設備、氣相外延（CVD）設備等。

這些設備都是用于生長(cháng)材料外延片的基礎設備，可以在晶體生長(cháng)過(guò)程中控制溫度、氣體流量、壓力等參數，從而得到均勻、高質(zhì)量、低缺陷的外延片。

這些外延片作為芯片制造的重要原料，具有豐富的物理、化學(xué)性質(zhì)，能夠應用于射頻、微波、太赫茲器件等領(lǐng)域。

rolond什么牌子？

rolonmauqen是源自英國的專(zhuān)業(yè)科技跑步裝備品牌，由傳奇跑步者Ron Hill MBE博士于1970年創(chuàng )立。品牌理念是Run Everyday，鼓勵跑者堅持運動(dòng)，不在乎路程與速度，邁出步，跑起來(lái)，享受運動(dòng)帶來(lái)的快樂(lè )。

其創(chuàng )始人Ron Hill MBE博士更是五十余年如一日堅持每天跑步，風(fēng)雨無(wú)阻。倡導一種積極健康的生活態(tài)度，更是遵循這個(gè)理念，將體驗融入科技，打造舒適、專(zhuān)業(yè)的運動(dòng)裝備。

芯片的epi層是什么？

芯片epi層指的是外延層。

外延(Epitaxy, 簡(jiǎn)稱(chēng)Epi)工藝是指在單晶襯底上生長(cháng)一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料，外延層可以是同質(zhì)外延層(Si/Si)，也可以是異質(zhì)外延層(SiGe/Si 或SiC/Si等)；同樣實(shí)現外延生長(cháng)也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV/CVD)，常壓及減壓外延(ATM RP Epi)等等。

Epi層是外延層。

所謂外延層是指在集成電路制造工藝中，生長(cháng)沉積在晶圓襯底上的那一部分。

在某些情況下，需要硅片有非常純的與襯底有相同晶體結構（單晶）的硅表面，還要保持對雜質(zhì)類(lèi)型和濃度的控制。這要通過(guò)在硅表面淀積一個(gè)外延層來(lái)達到。外延（epitaxial）是由兩個(gè)希臘詞組成的，epi意思是“在上面”，taxis意思是“排列”。

在硅外延中，硅基片作為籽晶在硅片上面生長(cháng)一薄層硅。新的外延層會(huì )復制硅片的晶體結構。由于襯底硅片是單晶，外延層也是單晶。而且，外延層可以是n型也可以是p型，這并不依賴(lài)于原始硅片的摻雜類(lèi)型。例如，在p型硅片上外延一層電學(xué)活性雜質(zhì)濃度比襯底還要低的P型硅是可以的。

?硅外延發(fā)展的起因是為了提高雙極器件和集成電路的性能。外延可以在重摻雜的襯底上生長(cháng)一層輕摻雜的外延層。這在優(yōu)化pn結的擊穿電壓的同時(shí)降低了集電極電阻，在適中的電流強度下提高了器件的速度。外延在CMOS集成電路中變得重要起來(lái)，因為隨著(zhù)器件尺寸不斷縮小，它將閂鎖效應降到最低。外延層通常是沒(méi)有玷污的（比如沒(méi)有氧顆粒，它不是真正的CZ法生長(cháng)的硅）。

外延層的厚度可以不同，用于高速數字電路的典型厚度是0.5到5微米，用于硅功率器件的典型厚度是50到100微米。

什么是氮化鎵外延片？

氮化鎵(GaN)外延片（Gallium Nitride （GaN）Epiwafers）是指在藍寶石、硅、氮化硅和氮化鎵等襯底上進(jìn)行氮化鎵外延。

氮化鎵(GaN)作為第三代半導體核心材料之一，具有高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩定性等優(yōu)良特性，是制作寬波譜、高功率、高效率光電子、電力電子和微電子的理想材料。外延片作為半導體原材料，位于半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游，是半導體制造產(chǎn)業(yè)的支撐性行業(yè)。外延片制造商在襯底材料上通過(guò)CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）設備、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）設備等進(jìn)行晶體外延生長(cháng)、制成外延片。

到此，以上就是小編對于mbe設備制造的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于mbe設備制造的4點(diǎn)解答對大家有用。