大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題，就是關(guān)于pn結制造設備的問(wèn)題，于是小編就整理了3個(gè)相關(guān)介紹pn結制造設備的解答，讓我們一起看看吧。

哪些器件中應用到PN結？

太多了，可以說(shuō)涵蓋電子和光電的所有領(lǐng)域。PN結構成的MOS管是我們電腦、手機、各種數碼產(chǎn)品芯片的基本構成單元；PN結也是LED燈、太陽(yáng)能電池、光通信激光器和探測器芯片的基本部分?？梢哉f(shuō)當今世界上只要有電子電路的地方就有PN結的蹤影。

應用到PN結：二極管(1個(gè)PN結)、三極管(2個(gè)PN結)。二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（Varicap Diode）則用來(lái)當作電子式的可調電容器。三極管，全稱(chēng)應為半導體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。

PN結的形成原理？

PN結是通過(guò)一定的加工工藝將P型半導體與N型壓接在一起的，中間的部分就是PN結。

PN結的單向導電原理是由P型半導體與N型半導體的特性決定的，由于P型半導體的多數載流子為空穴帶正電荷，N型半導體的多數載流子為負電荷，當PN結正向偏置時(shí)（P接正，N接負），在外加電場(chǎng)的作用下，多數載流子的運動(dòng)加強，中和了一部分空間電荷，使電荷區域變窄，方向是由P-N，在一定范圍內，電壓越大電流越大，此時(shí)的PN呈現低電阻狀態(tài)，當反向偏置時(shí)，減弱了多數載流子運動(dòng)，加強的只是少數載流子的漂移運動(dòng)，此時(shí)的電流方向由N-P，且電流很小PN結呈現高電阻狀態(tài)。

電流不會(huì )隨著(zhù)電壓的增大而增大，這是的電流為反向飽和電流！這就是PN結單向導通的基本原理。

原理:

PN結的形成其實(shí)就是在一塊完整的硅片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，那么在兩種半導體的交界面附近就形成了PN結。

在形成PN結之后，由于N型半導體區內的電子數量多于空穴數量，而P型半導體區內的空穴數量多于電子數量，所以在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。

這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方

向濃度低的地方擴散。此時(shí)將在N型半導體和P型半導體的結合面上形成如下物理過(guò)程如下：最后，多子的擴散和少子的漂移達到動(dòng)態(tài)平衡。

在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個(gè)離子薄層形成的空間電荷區稱(chēng)為PN結。

PN結的內電場(chǎng)方向由N區指向P區。在空間電荷區，由于缺少多子，所以也稱(chēng)耗盡層。

LED的PN結是如何制成的？

發(fā)光二極管的實(shí)質(zhì)性結構是半導體PN結。在PN結上加正向電壓時(shí)注入少數載流子，少數載流子的復合發(fā)光就是發(fā)光二極管的工作機理。PN結就是指在一單晶中，具有相鄰的P區和N區的結構，它通常是在一種導電類(lèi)型的晶體上以擴散、離子注入或生長(cháng)的方法產(chǎn)生另一種導電類(lèi)型的薄層來(lái)制得的。如曾用離子注入法制成碳化硅藍色LED

，用擴散法制成GaAs、GaAs0.60P0.40/GaAs0.35P0.65：N/GaP、GaAs0.15P0.85：N/GaP、GaP：ZnO/GaP的紅外、紅光、橙光、黃光、紅光LED

，而GaAlAs、InGaN、InGaAlP超高亮度LED都是由生長(cháng)結制成，效率較高的GaAs、GaP：ZnO/GaP和GaP：N/GaP LEDPN

結也是用生長(cháng)結制成的。生長(cháng)結一般較擴散法和離子注入法是過(guò)補償制成PN結，無(wú)用雜質(zhì)過(guò)多且造成晶體質(zhì)量下降，缺陷增多，使用權非輻射復合增加，導致發(fā)光效率下降。

到此，以上就是小編對于pn結制造設備的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于pn結制造設備的3點(diǎn)解答對大家有用。