大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題，就是關(guān)于tmah制造設備的問(wèn)題，于是小編就整理了1個(gè)相關(guān)介紹tmah制造設備的解答，讓我們一起看看吧。

太陽(yáng)能板拋光方法？

步驟1：去psg層，將經(jīng)過(guò)擴散摻雜的電池片，浸泡在hf溶液中，去除擴散摻雜過(guò)程中產(chǎn)生的psg；

步驟2：清洗，將上述電池片，用純化水清洗去除電池片殘留的hf；

步驟3：pecvd氮化硅鍍膜，將上述電池片，進(jìn)行pecvd氮化硅鍍膜工藝處理，在電池片正面制備一層氮化硅薄膜。

步驟4：去背結及拋光，將上述電池片，浸泡在四甲基氫氧化銨(tmah)溶液中，由于電池片上表面存在一層氮化硅薄膜可以保護正面不被tmah反應，從而達到背面去除p-n結和拋光的目的。

步驟5：清洗，將上述電池片，用純化水清洗去除電池片片上殘留的tmah堿液。

步驟6：風(fēng)干，將上述電池片，采用熱風(fēng)風(fēng)刀將上述電池片吹干。

進(jìn)一步的，步驟1中所述hf溶液的質(zhì)量濃度為5％～10％，浸泡時(shí)間為150s～300s，反應溫度為室溫。

進(jìn)一步的，步驟2所述的純化水清洗方式為，先采用溢流清洗，快速除去電池片上殘留的hf，隨后采用慢提拉的方式進(jìn)行漂洗，進(jìn)一步去除電池片上殘留的雜質(zhì)。

進(jìn)一步的，步驟4中所述tmah堿液的質(zhì)量濃度為25％～28％，浸泡時(shí)間為90s～120s，處理溫度為60℃～80℃。

進(jìn)一步的，步驟5所述的純化水清洗方式為，先采用溢流清洗，快速除去電池片上殘留的tmah，隨后采用慢提拉的方式進(jìn)行漂洗，進(jìn)一步去除電池片上殘留的雜質(zhì)。

(a)對未拋光的太陽(yáng)能電池硅片進(jìn)行預清洗，并配制拋光溶液，該拋光溶液為添加有表面活性劑的堿溶液；

(b)將步驟(a)中所配制的拋光溶液加熱到80?100°C，并將預清洗過(guò)的太陽(yáng)能電池石圭片浸入該加熱后的拋光溶液中進(jìn)行拋光處理，拋光處理的時(shí)間為90?200秒。在反應的過(guò)程中有氣泡產(chǎn)生，可以配備較好的鼓吹氣泡裝置。關(guān)于拋光的時(shí)間，可用秒表來(lái)計時(shí)，在達到所需拋光效果的同時(shí)控制硅片的減薄量。

[0006](c)對步驟(b)中得到的拋光后的太陽(yáng)能電池硅片進(jìn)行酸洗、水洗和干燥。

[0007]進(jìn)一步地，在步驟(a)中，預清洗使用的清洗劑為氨水和雙氧水的混合溶液。清洗過(guò)程中，優(yōu)選額外使用超聲波輔助清洗，這樣清洗的效果更好。

[0008]優(yōu)選地，在步驟(a)中，表面活性劑為烷基酚型表面活性劑，可以使拋光反應更均勻。

[0009]優(yōu)選地，在步驟(a)中，表面活性劑為Ε0Ρ0Ε0型嵌段共聚物，可以使拋光反應更均勻更優(yōu)選地，在步驟(a)中，表面活性劑占堿溶液總體積(即，拋光溶液的總體積)的0.05%?0.

[0010]優(yōu)選地，在步驟(a)中，堿溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液。

[0011]優(yōu)選地，在步驟(a)中，堿溶液為四甲基氫氧化銨溶液。

[0012]更優(yōu)選地，在步驟(a)中，堿溶液的質(zhì)量分數為10 %?20 %。

[0013]再優(yōu)選地，在步驟(C)中，酸洗所使用的酸液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液。

1)清洗和制絨；

2)擴散摻雜；

3)磷硅玻璃清洗與邊緣刻蝕；

4)PECVD氮化硅鍍膜；

5)金屬電極印刷和燒結。其中擴散摻雜是在太陽(yáng)能電池片正面產(chǎn)生p-n結，大多采用管式擴散爐，在p-n結在擴散過(guò)程中會(huì )產(chǎn)生一層磷硅玻璃層(簡(jiǎn)稱(chēng)PSG，為富含磷元素的二氧化硅層)。

PSG層會(huì )對后續鍍膜和燒結工藝產(chǎn)生不良影響，并且擴散后硅片的邊緣和正面均存在p-n結，會(huì )導致硅片兩面電極的導通漏電，降低電池對光生電流的收集效率

到此，以上就是小編對于tmah制造設備的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于tmah制造設備的1點(diǎn)解答對大家有用。